这种新一代n通道增强模式MOSFET的设计最大限度地减少RDS(ON)，但仍保持优越的开关性能。该设备适用于笔记本电池电源管理和负载开关。
额定为+175°C -理想的高环境温度环境热效率包-冷却器运行应用高转换效率低RDS(ON) -最小化ON状态损耗低输入电容转换速度快1.1mm封装轮廓-适合薄应用
