DRV8300是100v三半桥栅极驱动器，能够驱动高侧和低侧n通道功率mosfet。DRV8300D使用集成的bootstrap二极管和外部电容产生正确的栅极驱动电压，用于高端mosfet。DRV8300N产生正确的栅极驱动电压使用外部自举二极管和外部电容的高端mosfet。GVDD用于产生低侧mosfet的栅极驱动电压。栅极驱动架构支持峰值高达750毫安的源和汇聚电流。

相位管脚SHx能够容忍显著的负电压瞬态;而高侧栅极驱动器BSTx和GHx能够支持更高的正电压瞬态(115 v) abs最大电压，提高了系统的鲁棒性。小的传播延迟和延迟匹配规格使死区时间要求最小化，从而进一步提高效率。通过GVDD和BST欠压闭锁提供低侧和高侧欠压保护。