【用　途】 普通用途 【性能 参数】硅 NPN 50V/30V 1A 16.7W β≥35 *K 【互换 兼容】

【用　途】 普通用途 【性能 参数】硅 NPN 45V 0.15A 0.36W 200MHz 【互换 兼容】3DG130C

【用　途】 低频大功率管 【性能 参数】硅 NPN 30V 1A 10W β=100～200 *K 【互换 兼容】

【用　途】 低频大功率管 【性能 参数】硅 NPN 30V 1A 10W β=160～320 *K 【互换 兼容】

【用　途】 低频大功率管 【性能 参数】硅 NPN 30V 1A 10W β=35～70 *K 【互换 兼容】

【用　途】 低频大功率管 【性能 参数】硅 NPN 30V 1A 10W β=60～120 *K 【互换 兼容】

【用　途】 模/数转换器 【性能 参数】双列32脚封装,10位逐次比较型模/数转换器,电源电压=5,15,-15V,电源电流=200,40,-15mA,典型模拟输入电压=10.24/±5.12V,典型模拟输入电阻=1kΩ,工作温度范围=0～70℃。

1、在Popup windows/action confirmation/下创建1001和1002两个窗口如图1、2所示，其中密码输入框由蓝色矩形框和密码显示功能块组成，密码显示功能块位于Toochest800)this.width=800">图2 1002

基于磁场传感器HMC1001/1002的(置位/复位)脉冲电路(磁场传感器HMC1001/1002)产生S／R(置位/复位)脉冲电路图S／R脉冲即置位／复位脉冲，其幅度取决于所用MR传感器的测量灵敏度。例如，由HMC1001／1002构成的特斯拉计，当最小可测磁通密度为50nT时，要求脉冲电流的幅度不低于3A；最小可测10nT时，脉冲电流幅度不得小于4A。测量灵敏度愈高，脉冲电流幅度也愈高。利用微

产生S／R(置位/复位)脉冲电路(集成磁场传感器HMC1001/1002)电路图