描述

功率di3333 -8中的40v PNP低vcesat晶体管

应用程序

·高侧开关
·低辍学调节器
MOSFET或IGBT栅极驱动

特性

·BVCEO祝辞-40 v
·小体积系数的热效率封装。
·支持更高密度的终端产品
·IC = -3A高连续电流
·ICM = -6A峰值脉冲电流
·低饱和电压VCE(sat) <-400 mv @ 1 a
·最低hFE 200 @ IC=-1A
额定温度为+175°c -适合高温环境
·可湿的侧面改进光学检查
·完全无铅完全符合RoHS标准(注1 &2）
·无卤素和锑。“绿色”装置(注3)
·符合AEC-Q101高可靠性标准