0
HMC-C200是一款高性能介质谐振振荡器(DRO)，采用Hittite的超低相位噪声技术，在10 kHz偏置时提供122 dBc/Hz SSB的相位噪声。 输出缓冲还提供14.5 dBm的输出功率。 内部温度补偿使得这款DRO能够在-40°C至+85°C的温度范围内工作，频率漂移仅为2ppm/°C。Vtune端口接受 +7至+12V的模拟调谐电压，与中心频率偏离±1 MHz。. 该DRO采用小型防潮密封模块封装，带有可现场更换的SMA连接器。 如果没有使用SMA连接器，HMC-C200可以用作插入式模块。
每个MC-C200 DRO都需要调谐到8.0 - 8.3 GHz范围内的特定频率。 若要订购HMC-C200，必须在购买时指定此频率。 Hittite保证产品交付时在该指定频率的±250 kHz范围内。 更多详细信息请参考应用笔记。 例如，当订购中心频率为8.200 GHz的HMC-C200时，请在“Customer Notes”（客户备注）栏指定HMC-C200-8200。
应用
【用 途】 稳压二极管【性能 参数】稳定电压188-212V ,典型电压200V 电流1.5mA 耗散功率1W【互换 兼容】BZV85/C200
【用 途】 稳压二极管【性能 参数】稳定电压188-212V ,典型电压200V 电流1.5mA 耗散功率1W【互换 兼容】C200
【用 途】 稳压二极管【性能 参数】200V 5mA 6W【互换 兼容】
拆机查R200、R201、R202、R2、C200，发现R200（300kΩ/0.5W）已断路，C200（10μF/16V）已漏电。将R200和C200换新后。该机加热正常。
"据报道，微软近日宣布加入HMC组织，该组织是由美光、三星、IBM、Open-Silicon以及Xilinx组成，目的是制定与现有RAM内存标准兼容的HMC内存标准。HMC(Hybrid Memory Cube，混合内存魔方)被视为RAM技术的未来，与现有技术相比，其带宽有极大增长，内存延迟大幅降低，而功耗更低。简单来说，HMC内存也是一种芯片3D堆叠技术，多层RAM电路可以层
Hittite Microwave新推的宽带射频功率放大器HMC-C037和HMC-C036可配置连接器，适用于工作频率范围为10MHz-15GHz的宽带设备、测试设备及通信产品。HMC-C037为一款工作频率范围为10MHz-15GHz的GaAs PHEMT MMIC宽带功率放大器，精心配置有集成散热片和EMI过滤DC终端。HMC-C03
Hittite推出第一个电池供电的手持式信号源HMC-T2100B全球顶级的微波集成电路解决方案供应商Hittite微波公司发布了业界第一个电池供电的手持式信号发生器HMC-T2100B，频率范围可达10MHz在同尺寸及成本的手持信号源中，HMC-T2100B能提供最大的输出功率，最低的谐波，最宽的频率范围。售价仅为14,998美元。HMC-T2100B非常轻巧，连续波输出的最大功率达27dBm，在40dB的动态范围内功率步进是0.1dB，可适用于自动化测试与测量环
HMC-ALH311和HMC-ALH364是高增益的GaAsHEMTLNA模具产品，频带为22~32GHz。HMC-ALH311运行于22和26.5GHz之间，典型增益为25dB，噪声系数在25GHz时为3dB，增益压缩在1dB时输出功率为12dBm。HMC-ALH364在24
HittiteMicrowave不久前推出两款可配置连接器的MMIC功率放大器——HMC-C037和HMC-C036，适用于工作频率范围为10MHz-15GHz的宽带设备、测试设备及通信产品。HMC-C037为一款工作频率范围为10MHz-15GHz的GaAsPHEMTMMIC宽带功率放大器，精心配置有集成散热片和EMI过滤DC终端。因无需另行规定和设计散热片，从而可简化在实验室中的操作。HMC-C037在12GHz频率下可提供12dB的平坦增益，因省去了频段转换，其为用于宽带仪器，实验室和测试
HittiteMicrowave新推的宽带射频功率放大器HMC-C037和HMC-C036可配置连接器，适用于工作频率范围为10MHz-15GHz的宽带设备、测试设备及通信产品。HMC-C037为一款工作频率范围为10MHz-15GHz的GaAsPHEMTMMIC宽带功率放大器，精心配置有集成散热片和EMI过滤DC终端。因无需另行规定和设计散热片，从而可简化在实验室中的操作。HMC-C037在12GHz频率下可提供12dB的平坦增益，因省去了频段转换，其为用于宽带仪器，实验室和测试产品的理想
