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HMC349AMS8G

高隔离度、非反射、GaAs、SPDT开关，100 MHz至4 GHz

HMC349AMS8G产品信息：

概览

  • 优势和特点
  • 产品详情

优势和特点

  • 非反射式50 欧姆设计
  • 高隔离度：57 dB至2 GHz
  • 低插入损耗：0.9 dB至2 GHz
  • 高输入线性度
    • 1 dB功率压缩(P1dB)：34 dBm（典型值）
    • 三阶交调截点(IP3)：52 dBm（典型值）
  • 高功率处理
    • 33.5 dBm（通过路径）
    • 26.5 dBm端接路径 单正电源：3 V至5 V
  • CMOS/TTL兼容控制
  • 全部关断状态控制
  • 带exposed pad的8引脚超小型封装(MINI_SO_EP)

产品详情

HMC349AMS8G是一款砷化镓(GaAs)、假晶高电子迁移率晶体管(PHEMT)、单刀双掷(SPDT)开关，额定频率范围为100 MHz至4 GHz。

HMC349AMS8G非常适合蜂窝基础设施应用，可实现57 dB高隔离、0.9 dB低插入损耗、52 dBm高输入IP3和34 dBm高输入P1dB。

HMC349AMS8G采用3 V至5 V单正电源供电，提供CMOS/TTL兼容控制接口。

HMC349AMS8G采用带exposed pad的8引脚超小型封装。

应用

  • 蜂窝/4G基础设施
  • 无线基础设施
  • 移动无线电
  • 测试设备

HMC349AMS8G数据手册：

HMC349AMS8G引脚功能、电路图：

相关型号：

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