优势和特点
- 无源：无需直流偏置
- 转换损耗： 9 dB
- 镜像抑制： 20 dB（典型值）
- LO至RF隔离：35 dB（典型值）
- LO至IF隔离：25 dB（典型值）
- IP3：18 dBm（典型值）
- P1dB：17 dBm（典型值）
- 中频引脚频率：DC - 4.5 GHz
- 12引脚、3 mm × 3 mm SMT陶瓷封装
产品详情
HMC524ALC3B是一款紧凑型GaAs MMIC I/Q混频器，采用符合RoHS标准的无引脚SMT陶瓷封装。 该器件可用作镜像抑制混频器或单边带上变频器。 该混频器采用两个标准双平衡混频器单元和一个90度混合器件，均采用GaAs MESFET工艺制造。 低频正交混合器件用于产生100 MHz IF输出。 该产品为混合型镜像抑制混频器和单边带上变频器组件的小型替代器件。 HMC524ALC3B无需线焊，可以使用表贴制造技术。
- 点对点和点对多点无线电
- VSAT
- 测试设备和传感器
- 军用最终用途
