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HMC637ALP5E

GaAs、pHEMT、MMIC、1 W功率放大器,0.1 GHz至6 GHz

HMC637ALP5E产品信息:

概览

优势和特点

  • P1dB输出功率:29 dBm
  • 增益:13 dB
  • 输出IP344 dBm
  • 50 欧姆匹配输入/输出
  • 32引脚、5 mm × 5 mm LFCSP封装:25 mm(2)
  • 下载HMC637ASCPZ-EP数据手册(pdf)
  • 扩展工业温度范围:-55+105°C
  • 受控制造基线
  • 封装/测试厂
  • 制造厂
  • 产品变更通知
  • 认证数据可应要求提供
  • V62/19618 DSCC图纸号

产品详情

HMC637ALP5E是一款砷化镓(GaAs)、单芯片微波集成电路(MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)分布式功率放大器,工作频率范围为0.1 GHz6 GHz。该放大器提供13 dB增益、44 dBm输出三阶交调截点(IP3)29 dBm输出功率(1 dB增益压缩),功耗为400 mA(采用12 V电源)。HMC637ALP5E100 MHz6 GHz范围内的增益平坦度为±0.75 dB,因而非常适合电子战(EW)、电子对抗(ECM)、雷达和测试设备应用。HMC637ALP5E放大器射频(RF) I/O内部匹配至50 欧姆,且5 mm × 5 mm引脚架构芯片级封装(LFCSP)与大规模表贴技术(SMT)组装设备兼容。

应用

  • 电信基础设施
  • 微波无线电
  • 甚小孔径终端(VSAT)
  • 军事与太空
  • 测试仪器仪表
  • 光纤产品

HMC637ALP5E数据手册:

HMC637ALP5E引脚功能、电路图:

相关型号:

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