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HMC8411LP2FE 是一款砷化镓 (GaAs)、单片微波集成电路 (MMIC)、假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 低噪声宽带放大器，工作范围为 0.01 GHz 至 10 GHz。

HMC8411LP2FE 提供 15.5 dB 的典型增益、1.7 dB 的典型噪声指数和 34 dBm 的典型输出三阶交调点 (OIP3)，只需要 55 mA 电流，5 V 电源电压。19.5 dBm 的典型饱和输出功率 (P(SAT)) 可以使低噪声放大器 (LNA) 用作 ADI公司众多平衡式同相/正交 (I/Q) 或镜像抑制混频器的本地振荡器 (LO) 驱动器。

HMC8411LP2FE 还具有可在内部匹配至 50 欧姆 的输入和输出，使得该器件非常适合基于表面贴装技术 (SMT) 的高容量微波无线电应用。

HMC8411LP2FE 采用符合 RoHS 指令的 2 mm × 2 mm 6 引脚 LFCSP 封装。

多功能引脚名称只能供其相关功能引用。

应用

• 测试仪器仪表
• 军事通信