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IDB30E120

IDB30E120产品信息：

1200 V，30 A发射极控制硅功率二极管，采用 D2PAK TO-263封装，具有出色的柔软性和VF性能，其T(j)（最大值）为150°C。根据IEC61249-2-21，二极管也选不含卤素。

特征描述

  • 极低的 V F 值
  • 市面上最软的二极管
  • T j(max) of 175°C
  • 质量符合 JEDEC 标准
  • 封装温度更低，效率更高
  • 优化电磁干扰行为
  • 成本和性能之间实现出色平衡
  • 低通态损耗
  • 容易并联

潜在应用

IDB30E120数据手册：

IDB30E120引脚功能、电路图：

相关型号：

IW416UK IW416HN IHVA150-A3D48V-BF IHV200HDANA IHV200A1ANA
IHVA150-A3D12V-BF IHVA200-A3D12V-BF IHVA150-H3D12V-BF IHVA200-H3D12V-BF IHV350HANFA
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IHV50A5ANH IHV100A6ANG IHV50A6ANG IHV50A4ANG IHV250HAANA
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