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IDWD20G120C5

IDWD20G120C5产品信息:

采用TO-247 真2脚封装的1200 V碳化硅肖特基二极管

是1200 V、20 A第五代CoolSiC 肖特基二极管,它采用TO-247 真2脚封装,可轻松更换现下通用的Si二极管。全新封装具备经过扩展的8.7 mm爬电距离和电气间隙,在高度污染的环境下可带来更高的安全性。结合Si IGBT或SJ MOSFET,如在三相转换系统使用的Vienna整流级或PFC升压电路中,与Si二极管相比,CoolSiC 二极管的效率提高了1%。这使得PFC和直流-直流电路的输出功率显著提高了40%及以上。除了可以忽略不计的开关损耗(碳化硅肖特基的一大特色),第五代CoolSiC 产品还具有同类产品中的最佳正向电压(V(F))、随温度变化最小的V(F)以及最高的浪涌电流能力。该系列产品能够以具有吸引力的成本实现市场领先的效率和更高的系统可靠性。

特征描述

  • 无反向恢复电流,无正向恢复电压
  • 开关行为不受温度影响
  • 在较高的工作温度下,可保持较低正向电压
  • 正向电压参数分布集中
  • 超强的浪涌电流能力
  • 真2脚封装,爬电距离和电气间隙为8.7 mm

优势

  • 即插即用,轻松取代Si二极管
  • 相比于Si二极管,系统效率更高
  • 可实现更高频率/更高功率密度
  • 提高系统可靠性

IDWD20G120C5数据手册:

IDWD20G120C5引脚功能、电路图:

相关型号:

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