600 V 10 A 单 TRENCHSTOP IGBT3，采用 TO263 D2Pak 封装，结合沟槽栅单元和场终止概念，显著改善器件静态和动态性能。IGBT 与软恢复发射极控制二极管相结合，进一步降低接通损耗。在开关和传导损耗之间做出优化，实现最高效率。