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IGB50N65H5

IGB50N65H5产品信息：

650 V 50 A IGBT，采用反并联二极管，TO-263 封装

650V 50A 高速开关TRENCHSTOP 5采用 D(2)Pak(TO-263) 封装，为硬开关应用提供超高效率，为同类IGBT产品树立新标杆。该新系列是IGBT创新的一个重大突破，以满足市场未来对高效率的需求。

特征描述

  • 650 V 击穿电压
  • 对比 “HighSpeed 3”系列
  • Q (g) 系数降低 2.5 倍
  • 开关损耗系数降低 2 倍
  • V(CEsat) 降低 200mV
  • 采用 极速硅二极管技术
  • 低 C (OES)/E (OSS)
  • 温和正温度系数 V(CEsat)
  • V (f) 的温度稳定性

优势

  • 具有出色的效率，降低结温和外壳温度，从而提高设备可靠性
  • 母线电压可提升 50V，同时不影响可靠性
  • 更高的功率密度设计

IGB50N65H5数据手册：

IGB50N65H5引脚功能、电路图：

相关型号：

IW416UK IW416HN IHVA150-A3D48V-BF IHV200HDANA IHV200A1ANA
IHVA150-A3D12V-BF IHVA200-A3D12V-BF IHVA150-H3D12V-BF IHVA200-H3D12V-BF IHV350HANFA
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IHV50A5ANH IHV100A6ANG IHV50A6ANG IHV50A4ANG IHV250HAANA
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