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IGP15N60T

IGP15N60T产品信息：

600v, 15a IGBT分立器件，采用TO220封装

TO220封装中的单一TRENCHSTOP IGBT3，由于沟单元和现场停止概念的结合，可显著改善设备的静态和动态性能。IGBT与软恢复发射极控制二极管的结合进一步减少了开关损耗。最高的效率是由于开关和导通损耗之间的最佳折衷。

特征描述

  • 最低V(CEsat)降以降低传导损耗
  • 低开关损耗
  • 由于V(CEsat)中的正温度系数，易于并行切换能力
  • 非常软，快速恢复反并行发射极控制二极管
  • 坚固度高，温度稳定
  • 低EMI排放
  • 门费用低
  • 非常紧密的参数分布

优势

  • 最高效率-低导通和开关损耗
  • 在600 V和1200 V的灵活设计的综合组合
  • 设备可靠性高

IGP15N60T数据手册：

IGP15N60T引脚功能、电路图：

相关型号：

IW416UK IW416HN IHVA150-A3D48V-BF IHV200HDANA IHV200A1ANA
IHVA150-A3D12V-BF IHVA200-A3D12V-BF IHVA150-H3D12V-BF IHVA200-H3D12V-BF IHV350HANFA
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IHV50A5ANH IHV100A6ANG IHV50A6ANG IHV50A4ANG IHV250HAANA
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