600 V, 50 A IGBT Discrete in TO-220封装
0
600 V, 50 A IGBT Discrete in TO-220封装
TO220封装中的单一TRENCHSTOP IGBT3，由于沟单元和现场停止概念的结合，显著改善了设备的静态和动态性能。IGBT与软恢复发射极控制二极管的结合进一步减少了开关损耗。最高的效率是由于开关和导通损耗之间的最佳折衷。
特征描述
优势
