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IGW25N120H3

IGW25N120H3产品信息：

高速 1200 V 25 A 单第三代 TRENCHSTOP IGBT，采用 TO247 封装，在开关和导通损耗之间实现完美平衡。该系列产品主要特性是与 MOSFET 相类似的关断开关行为，降低关断损耗。

特征描述

  • 专为替代频率低于 70 kHz 应用中的平面 MOSFET 设计
  • 极低的开关损耗，提高效率
  • 通过著名的 TRENCHSTOP 技术实现优秀的 VCEsat 行为
  • 快速开关行为，低电磁干扰
  • 针对目标应用优化二极管，进一步降低开关损耗
  • 可以选择极低的栅极电阻（低至 5欧姆），同时保持优秀的开关行为
  • 短路能力
  • Tj(max) 175°C
  • 可以选择带或不带续流二极管的封装，增加设计灵活度

优势

  • 开关和导通损耗低
  • 非常优秀的电磁干扰行为
  • 可与小栅极电阻同时使用，缩短延迟时间，减少电压过冲
  • 高电流密度
  • 同类产品中优秀的 1200 V IGBT 效率和电磁干扰行为

IGW25N120H3数据手册：

IGW25N120H3引脚功能、电路图：

相关型号：

IW416UK IW416HN IHVA150-A3D48V-BF IHV200HDANA IHV200A1ANA
IHVA150-A3D12V-BF IHVA200-A3D12V-BF IHVA150-H3D12V-BF IHVA200-H3D12V-BF IHV350HANFA
IHV200AJANA IHVA150-H3D48V-BF IHV100H4ANG IHVA200-A3D48V-BF IHV200ADANA
IHV50A5ANH IHV100A6ANG IHV50A6ANG IHV50A4ANG IHV250HAANA
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