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IGW30N60T

IGW30N60T产品信息：

采用 TO-247PLUS 封装的 600 V IGBT

得益于沟道单元（trench-cell）和场终止概念的结合，低损耗 600 V, 30 A 硬开关 TRENCHSTOP 第三代 IGBT ， 采用TO-247 封装，显著改善了器件的静态和动态性能。

特征描述

  • 极低的压降V(CEsat) ，实现更低的通态损耗
  • 低开关损耗
  • VCEsat中的正温度系数使得开关并联更加容易
  • 非常柔软、快速的恢复反并联发射极控制二极管
  • 高坚固性，温度稳定行为
  • 极低的电磁辐射 (EME)
  • 低栅极电荷
  • 参数分布非常紧凑

优势

  • 超高效率-低导通和低开关损耗
  • 600 V和1200 V的全面产品组合，可实现设计灵活性
  • 器件可靠性高

IGW30N60T数据手册：

IGW30N60T引脚功能、电路图：

相关型号：

IW416UK IW416HN IHVA150-A3D48V-BF IHV200HDANA IHV200A1ANA
IHVA150-A3D12V-BF IHVA200-A3D12V-BF IHVA150-H3D12V-BF IHVA200-H3D12V-BF IHV350HANFA
IHV200AJANA IHVA150-H3D48V-BF IHV100H4ANG IHVA200-A3D48V-BF IHV200ADANA
IHV50A5ANH IHV100A6ANG IHV50A6ANG IHV50A4ANG IHV250HAANA
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