采用 TO247 封装的的 1200 V，60 A 单个TRENCHSTOP 第三代IGBT，结合了沟槽栅和场终止概念，显著改善了器件的静态及动态性能。IGBT 与软恢复发射极控制二极管相结合，进一步降低接通损耗。在开关和传导损耗之间做出优化，实现极高效率。