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IHFW40N65R5S

IHFW40N65R5S产品信息:

采用TO-247先进的隔离封装,650v, 40a IGBT

反向导电R5S 650v, 40a采用TO-247先进隔离封装的IGBT离散电路。由于TRENCHSTOP 5系列的行业领先性能和反向导电RC-H igbt的技术创新相结合,新一代的同类最佳器件已经诞生。由于采用了单片集成二极管,650 V R5S igbt非常适合软开关应用,如电磁炉和逆变微波炉,但也适用于需要一些硬开关能力的设计。

由于从IGBT模具到散热器的有效可靠的热路径,该封装消除了对隔离材料的需求,并实现了高功率密度、最佳的热性能和最低的冷却工作。

特征描述

  • 与上一代相比,最低V (CE(sat))和优化的E(off)降低了30%的损耗
  • 650 v闭锁电压
  • 软换向改善EMI性能
  • 硬切换能力
  • 2500 (VRMS)电气隔离,50/ 60hz, t = 1分钟
  • 100%测试隔离安装表面
  • Pb-free镀铅;通过无铅认证
  • 根据JEDEC 47/20/22的相关试验,可用于工业应用

优势

  • 同类最佳的效率,导致较低的结和外壳温度,以更高的器件可靠性
  • 50V更高的电压,提高可靠性
  • 在开关频率高达40kHz的设计中表现良好
  • 不需要使用隔离材料和热润滑脂
  • 与iso箔的标准to -247相比,装配时间减少了35%
  • 提高了产量,消除了隔离箔的不对中
  • 与采用隔离材料的标准to -247相比,最高可降低10°C的Tc
  • 高达20% Iout,提高功率输出
  • 完整的制造过程控制
  • 简单的并联

IHFW40N65R5S数据手册:

IHFW40N65R5S引脚功能、电路图:

相关型号:

IW416UK IW416HN IHVA150-A3D48V-BF IHV200HDANA IHV200A1ANA
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