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IHW50N65R6

IHW50N65R6产品信息：

采用TO-247封装的单片集成二极管650v, 50a IGBT

逆导R6 650v, 50a IGBT采用to -247封装，单片集成二极管，采用半桥谐振拓扑，满足感应加热应用的要求。

由于最佳的系统性能和与现有栅极驱动器解决方案的高兼容性，650v R6 IGBT代表了软交换拓扑的最佳选择。

特征描述

  • 极低V(CEsat)和低E(off)
  • 高强度和稳定的温度行为
  • 由于V(CEsat)中的正温度系数，易于并行切换能力
  • 频率范围20- 75khz
  • 低EMI
  • 非常紧密的参数分布
  • 最大工作温度(J) 175°C

优势

  • 最低的IGBT损耗，高的系统效率，更高的功率输出
  • 快速和容易的更换前任R5组合
  • 设备可靠性高
  • 好的EMI的行为

IHW50N65R6数据手册：

IHW50N65R6引脚功能、电路图：

相关型号：

IW416UK IW416HN IHVA150-A3D48V-BF IHV200HDANA IHV200A1ANA
IHVA150-A3D12V-BF IHVA200-A3D12V-BF IHVA150-H3D12V-BF IHVA200-H3D12V-BF IHV350HANFA
IHV200AJANA IHVA150-H3D48V-BF IHV100H4ANG IHVA200-A3D48V-BF IHV200ADANA
IHV50A5ANH IHV100A6ANG IHV50A6ANG IHV50A4ANG IHV250HAANA
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