600 V、15 A 硬开关 TRENCHSTOP IGBT3 ，采用TO-220 全塑封封装并集成了全电流的续流二极管。IGBT芯片由于结合了沟槽栅和场终止概念，显著提高了其静态和动态性能。另外，沟槽栅/场终止IGBT和发射极控制二极管的结合进一步降低了其开通损耗。由于在开关损耗和导通损耗之间采取了较为理想的折衷，因此可实现高效率。