600 V，6 A 硬开关TRENCHSTOP 第三代IGBT与全额定续流二极管联合封装到 TO263 D(2)Pak 封装中，结合了沟槽栅和场终止概念，显著改善了器件的静态及动态性能。IGBT 与软恢复发射极控制二极管相结合，进一步降低接通损耗。在开关和传导损耗之间做出优化，实现最高效率。