• 650 V 击穿电压

对比 “HighSpeed 3”系列

• Q(g) 系数降低 2.5 倍
• 开关损耗系数降低 2 倍
• VCEsat 减少 200 mV
• 采用 极速硅二极管技术
• 低 C (OES)/E (OSS)
• 温和正温度系数 V(CEsat)
• V(f)的温度稳定性

• 具有出色的效率，降低结温和外壳温度，
  从而提高设备可靠性
• 母线电压可提升 50 V，同时不影响
  可靠性
• 更高的功率密度设计