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IKB20N65EH5

IKB20N65EH5产品信息：

650 V 20 A IGBT， 具有反并联二极管，采用 TO263 封装

采用 D2Pak(TO263)封装的 650 V，20 A 高速开关 TRENCHSTOP 5 采用全额定电流 Rapid 1 反并联二极管，在硬开关应用方面提供无与伦比的效率，重新定义“一流” IGBT 。该新系列是 IGBT 创新的一个重大突破，以满足市场未来对高效率的需求。

特征描述

  • 650 V 击穿电压

对比 “HighSpeed 3”系列

  • Q(g) 系数降低 2.5 倍
  • 开关损耗系数降低 2 倍
  • VCEsat 减少 200 mV
  • 采用 极速硅二极管技术
  • 低 C (OES)/E (OSS)
  • 温和正温度系数 V(CEsat)
  • V(f)的温度稳定性

优势

  • 具有出色的效率，降低结温和外壳温度，
    从而提高设备可靠性
  • 母线电压可提升 50 V，同时不影响
    可靠性
  • 更高的功率密度设计

IKB20N65EH5数据手册：

IKB20N65EH5引脚功能、电路图：

相关型号：

IW416UK IW416HN IHVA150-A3D48V-BF IHV200HDANA IHV200A1ANA
IHVA150-A3D12V-BF IHVA200-A3D12V-BF IHVA150-H3D12V-BF IHVA200-H3D12V-BF IHV350HANFA
IHV200AJANA IHVA150-H3D48V-BF IHV100H4ANG IHVA200-A3D48V-BF IHV200ADANA
IHV50A5ANH IHV100A6ANG IHV50A6ANG IHV50A4ANG IHV250HAANA
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