IKB30N65EH5 数据手册-pdf中文资料-产品介绍及应用电路

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IKB30N65EH5

IKB30N65EH5产品信息：

650 V, 30 A IGBT with anti-parallel diode in TO-263 package

采用 D2Pak(TO263)封装的 650 V，30 A 高速开关(TRENCHSTOP) ( 5)采用全额定电流 Rapid 1 反并联二极管，在硬开关应用方面提供无与伦比的效率，重新定义“一流”IGBT。该新系列是 IGBT 创新的一个重大突破，以满足市场未来对高效率的需求。

特征描述

650 V 击穿电压

对比 “HighSpeed 3”系列

Q(g) 系数降低 2.5 倍
开关损耗系数降低 2 倍
VCEsat 减少 200 mV
采用极速硅二极管技术
低 C (OES)/E (OSS)
温和正温度系数 V(CEsat)
V(f)的温度稳定性

优势

具有出色的效率，降低结温和外壳温度，
从而提高设备可靠性
母线电压可提升 50 V，同时不影响
可靠性
更高的功率密度设计

潜在应用

不间断电源(UPS)
工业加热和焊接
太阳能系统解决方案

IKB30N65EH5数据手册：

IKB30N65EH5

IW416UK	IW416HN	IHVA150-A3D48V-BF	IHV200HDANA	IHV200A1ANA
IHVA150-A3D12V-BF	IHVA200-A3D12V-BF	IHVA150-H3D12V-BF	IHVA200-H3D12V-BF	IHV350HANFA
IHV200AJANA	IHVA150-H3D48V-BF	IHV100H4ANG	IHVA200-A3D48V-BF	IHV200ADANA
IHV50A5ANH	IHV100A6ANG	IHV50A6ANG	IHV50A4ANG	IHV250HAANA

IKB30N65EH5

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IKB30N65EH5数据手册：

IKB30N65EH5引脚功能、电路图：

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