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IKW30N60T

IKW30N60T产品信息:

600V IGBT,采用反并联二极管,TO-247 封装

600 V,30 A 硬开关TRENCHSTOP 第三代IGBT,与全额定续流二极管联合封装到 TO-247 封装中,结合沟槽栅和场终止概念,显著改善器件静态及动态性能。IGBT 与软恢复发射极控制二极管相结合,进一步降低接通损耗。在开关和传导损耗之间做出优化,实现最高效率。

特征描述

  • 最低 VCEsat 压隆,降低传导损耗
  • 低开关损耗
  • VCEsat 具备正温度系数,实现轻松并联开关能力
  • 极软、快速恢复防并联发射极控制二极管
  • 高稳健性和温度稳定性
  • 低 EMI 排放
  • 低栅极电荷
  • 参数分布非常紧凑

优势

  • 最高效率 - 低传导和开关损耗
  • 丰富的 600 V 和 1200 V 产品组合,支持灵活设计
  • 器件高可靠性

IKW30N60T数据手册:

IKW30N60T引脚功能、电路图:

采用复合管的串联调整稳压电路

;;;; ;图8-12所示是采用复合管的串联调整稳压电路,与图8-10所示电路不同之处有三点:一是调整管采用复合管,二是稳压二极管接法不同IKW30N60T三是采用了启动电阻RL。

相关型号:

IW416UK IW416HN IHVA150-A3D48V-BF IHV200HDANA IHV200A1ANA
IHVA150-A3D12V-BF IHVA200-A3D12V-BF IHVA150-H3D12V-BF IHVA200-H3D12V-BF IHV350HANFA
IHV200AJANA IHVA150-H3D48V-BF IHV100H4ANG IHVA200-A3D48V-BF IHV200ADANA
IHV50A5ANH IHV100A6ANG IHV50A6ANG IHV50A4ANG IHV250HAANA
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