650 V, 50 A TRENCHSTOP 5 H5 IGBT co-packed with half-rated第六代碳化硅CoolSiC 肖特基势垒二极管in TO-247-3封装。

超高速650 V硬开关TRENCHSTOP 5 H5 IGBT在30 kHz以上的开关速度时，具有非常低的开关损耗。

结合超高速TRENCHSTOP 5 H5 IGBT与半额定自由旋转SiC肖特基阻挡二极管在CoolSiC 混合离散，使总开关损耗前所未有的减少，并允许显著增加开关频率。