华强商城 被动器件(电容/电阻/电感) BOM配单 原厂专区 PCB制板 积分兑换
0
首页>IC索引

IKW75N65SS5

IKW75N65SS5产品信息:

650v, 75a IGBT分立器件,采用碳化硅肖特基二极管

650 V, 75 A TRENCHSTOP 5 S5 IGBT co-packed with full-rated 6th generation Silicon Carbide CoolSiC Schottky barrier diode in TO-247-3 package。

650 V硬开关TRENCHSTOP 5 S5 IGBT技术解决了10 kHz和40 kHz之间切换的应用,由于高可控性和平滑的切换行为,不仅提供高效率,而且易于设计。

结合TRENCHSTOP 5 S5 IGBT技术与自由SiC肖特基阻挡二极管在CoolSiC Hybrid离散进一步降低了开关损耗几乎不变的dv/dt和di/dt值。

特征描述

  • 由于TRENCHSTOP 5 IGBT和CoolSiC 二极管技术的结合,超低的开关损耗
  • 非常低的通态损耗
  • 在硬交换拓扑中测试交换效率
  • 符合JEDEC的目标应用要求
  • Pb-free镀铅;通过无铅认证
  • 根据JEDEC 47/20/22的相关试验,可用于工业应用

优势

  • 最高的效率
  • 减少冷却的努力
  • 增加功率密度
  • 塞,玩替代纯硅器件
  • 易于升级现有的设计,以提高效率
  • 适合并联

IKW75N65SS5数据手册:

IKW75N65SS5引脚功能、电路图:

相关型号:

IW416UK IW416HN IHVA150-A3D48V-BF IHV200HDANA IHV200A1ANA
IHVA150-A3D12V-BF IHVA200-A3D12V-BF IHVA150-H3D12V-BF IHVA200-H3D12V-BF IHV350HANFA
IHV200AJANA IHVA150-H3D48V-BF IHV100H4ANG IHVA200-A3D48V-BF IHV200ADANA
IHV50A5ANH IHV100A6ANG IHV50A6ANG IHV50A4ANG IHV250HAANA
按首字母检索