650v, 75a IGBT分立器件,采用碳化硅肖特基二极管
650v, 75a IGBT分立器件,采用碳化硅肖特基二极管
650 V, 75 A TRENCHSTOP 5 S5 IGBT co-packed with full-rated 6th generation Silicon Carbide CoolSiC Schottky barrier diode in TO-247-3 package。
650 V硬开关TRENCHSTOP 5 S5 IGBT技术解决了10 kHz和40 kHz之间切换的应用,由于高可控性和平滑的切换行为,不仅提供高效率,而且易于设计。
结合TRENCHSTOP 5 S5 IGBT技术与自由SiC肖特基阻挡二极管在CoolSiC Hybrid离散进一步降低了开关损耗几乎不变的dv/dt和di/dt值。
特征描述
优势