600V CoolMOS C7 超级结（SJ）MOSFET系列比 CoolMOS CP 系列可减少大约 50% 的关断损耗（E (oss)），在 PFC、TTF 及其他硬开关拓扑结构中可提供卓越的性能。另外，IPL60R185C7也是高功率密度充电器的不二之选！

CoolMOS C7 提供的更高效率有益于效率和总体拥有成本（TCO）应用，如超数据中心和高效率电信整流器（>96%）。在 PFC 拓扑结构中，可获得 0.3% - 0.7% 的增益，在LLC拓扑结构中，可获得 0.1% 的增益。例如，如果是 2.5kW 的服务器 PSU，在 TO-247 4 针套件内采用 600V CoolMOS C7 超级结 MOSFET 可为 PSU 能量损耗减少大约 10% 的能源成本。

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