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IPAN60R125PFD7S

IPAN60R125PFD7S产品信息:

采用 TO-220 FullPAK 窄引脚封装的 600V CoolMOS PFD7 超结 MOSFET

600V CoolMOS PFD7 超结 MOSFET (IPAN60R125PFD7S) 补充了CoolMOS 7 系列产品,可用于消费类应用。采用 TO-220 FullPAK 窄引脚封装的 IPAN60R125PFD7S 具有 125mOhm 的 R(DS(on) ),降低了开关损耗。该产品配备了快速体二极管,可确保器件坚固耐用,进而为客户减少物料清单(BOM)。

该产品系列旨在实现超高功率密度和高效率设计。这些产品主要适用于超高密度充电器、适配器和低功率电机驱动器。CoolMOS 与 P7 和 CE MOSFET 技术相比, 600V CoolMOS PFD7 的轻载和满载效率提高,功率密度提高了 1.8W / inch(3)。

特征描述

  • FOM R(DS(on)) x E(oss )非常低
  • 集成坚固耐用的快速体二极管
  • 高达 2kV 的静电放电保护
  • 广泛的 R(DS(on) )数值
  • 出色的换向强度
  • 低 EMI
  • 广泛的产品封装组合

优势

  • 开关损耗非常小
  • 与新型 CoolMOS 充电器技术相比,提高了功率密度
  • 与 CoolMOS CE 技术相比,在低功率驱动器应用中效率更高并热性能更加出色
  • 降低了物料清单成本,易于生产
  • 坚固耐用
  • 可轻松选择合适的部件进行设计微调

潜在应用

  • 消费品
  • 高功率密度 充电器 和 适配器
  • USB PD
  • 电冰箱
  • 风扇

IPAN60R125PFD7S数据手册:

IPAN60R125PFD7S引脚功能、电路图:

相关型号:

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IHVA150-A3D12V-BF IHVA200-A3D12V-BF IHVA150-H3D12V-BF IHVA200-H3D12V-BF IHV350HANFA
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