将低RDS（on）与宽安全工作区（SOA）相结合
0
将低RDS（on）与宽安全工作区（SOA）相结合
OptiMOS 线性FET是一种全新方法，实现了增强型MOSFET饱和区域内的导通电阻（R (DS)(（)(on)(）) ）和线性模式能力的出色平衡。它提供先进的沟槽栅MOSFET R (DS)(（)(on)(）)以及经典平面MOSFET的宽安全工作区。
特征描述
优势
潜在应用
