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IPB083N10N3 G

IPB083N10N3 G产品信息:

的 100V OptiMOS 功率 MOSFET 可以为高效率、高功率密度的 SMPS 提供卓越的解决方案。与下一代出色技术相比,该系列在 R Ds(on)和 FOM(品质因数)方面均降低了30%。

特征描述

  • 优异的开关性能
  • 世界较低的 (R Ds(on))
  • 极低的 Qg 和 Qgd
  • 出色的栅极电荷 x R DS(on)产品(FOM)
  • 符合 RoHS 标准 - 无卤素
  • MSL1 评级 2

优势

  • 环保
  • 提高效率
  • 极高的功率密度
  • 减少并联
  • 极低的板空间消耗
  • 产品易于设计

潜在应用

  • AC-DC SMPS的同步整流
  • 48V-80V 系统的电机控制(即家用车辆、电动工具、卡车)
  • 隔离式 DC-DC 转换器(电讯和数据通信系统)
  • 48V系统的开关和断路器
  • D 类音频放大器
  • 不间断电源 (UPS)

IPB083N10N3 G引脚功能、电路图:

G

代 表 公 司 GTE 美国微电路公司 元件种类或用途集成电路 典 型 型 号 公 司 简 介

G-305

【用 途】 连程式传感器【性能 参数】G-305技术参数:工作电压:DC11-15V压力范围:-30IN/Hg—0—2BAR输出电压:0V—1.333V—4V误差范围:1%工作温度:20℃—100℃ 温度范围

LCC-G

封装代码 封装描述 资料 LCC-G 68-PIN CeramIC LCC (下载)

(G)QL53E

【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 300V 0.1A Vf=1.2V Lfsm=2A 【互换 兼容】

(G)QL60K

【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 800V 1A Vf=1.2V Lfsm=20A 【互换 兼容】

(G)QL52K

【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 800V 500mA Vf=1.2V Lfsm=1A 【互换 兼容】

(G)QL56K

【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 800V 0.1A Vf=1.2V Lfsm=2A 【互换 兼容】

(G)QL52E

【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 300V 500mA Vf=1.2V Lfsm=1A 【互换 兼容】

(G)QL58C

【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 100V 0.3A Vf=1.2V Lfsm=6A 【互换 兼容】

(G)QL57H

【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 600V 0.2A Vf=1.2V Lfsm=4A 【互换 兼容】

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