ipb180n03s4l-h0功率mosfet完全符合汽车电子委员会(aec-q101)的规范要求。

采用D2PAK-7封装的IPB180N03S4L-H0，可满足客户对标准封装功率 MOSFET的需求：以最低成本获得高额定

采用D2PAK-7封装的IPB180N03S4L-H0，可满足客户对标准封装功率 MOSFET的需求：以最低成本获得高额定电流和最低通态电阻。基于英飞凌

ipb180n03s4l-h0功率mosfet完全符合汽车电子委员会（aec-q101）的规范要求。

德国英飞凌科技（InfineonTechnologies）上市了最大漏极电流为180A、导通电阻（RDS(ON)）仅为0.95mΩ（标准值）的＋30V耐压n通道功率MOSFET“IPB180N03S4L-H0

采用D2PAK-7封装的IPB180N03S4L-H0，可满足客户对标准封装功率MOSFET的需求：以最低成本获得高额定电流和最低通态电阻。

采用D2PAK-7封装的IPB180N03S4L-H0，可满足客户对标准封装功率MOSFET的需求：以最低成本获得高额定电流和最低通态电阻。

采用D2PAK-7封装的IPB180N03S4L-H0，可满足客户对标准封装功率MOSFET的需求：以最低成本获得高额定电流和最低通态电阻。

常用碟簧参数表 系列1 D/t≈18;h0/t≈0.4 类别D d t(t') h0 H0 Pf(N) f=0.75h

【互换 兼容】R1160D301B【H0 贴片(R1160D301B)的原厂(中文)资料