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IPB200N25N3 G

IPB200N25N3 G产品信息:

250V OptiMOS 产品采用性能先进标杆技术,完全适合在 48V 系统、直流-直流转换器、不间断电源 (UPS) 和直流电机驱动逆变器中用于异步整流。

特征描述

  • 行业内较低 R DS(on)
  • 极低 Q g 和 Q gd
  • 全球极低 FOM 符合 RoHS 标准 - 无卤素 MSL 1 评级

优势

  • 极高效率
  • 极高的功率密度
  • 板空间占用小
  • 并联器件要求低
  • 改善系统成本
  • 环保
  • 轻松设计产品

潜在应用

  • AC-DC SMPS的同步整流
  • 适用于48V-110V系统的电机控制
  • 隔离式直流-直流转换器
  • 110V AC网络照明
  • HID
  • D 类音频放大器
  • 不间断电源(UPS)

IPB200N25N3 G数据手册:

IPB200N25N3 G引脚功能、电路图:

G

代 表 公 司 GTE 美国微电路公司 元件种类或用途集成电路 典 型 型 号 公 司 简 介

G-305

【用 途】 连程式传感器【性能 参数】G-305技术参数:工作电压:DC11-15V压力范围:-30IN/Hg—0—2BAR输出电压:0V—1.333V—4V误差范围:1%工作温度:20℃—100℃ 温度范围

LCC-G

封装代码 封装描述 资料 LCC-G 68-PIN CeramIC LCC (下载)

(G)QL53E

【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 300V 0.1A Vf=1.2V Lfsm=2A 【互换 兼容】

(G)QL60K

【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 800V 1A Vf=1.2V Lfsm=20A 【互换 兼容】

(G)QL52K

【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 800V 500mA Vf=1.2V Lfsm=1A 【互换 兼容】

(G)QL56K

【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 800V 0.1A Vf=1.2V Lfsm=2A 【互换 兼容】

(G)QL52E

【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 300V 500mA Vf=1.2V Lfsm=1A 【互换 兼容】

(G)QL58C

【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 100V 0.3A Vf=1.2V Lfsm=6A 【互换 兼容】

(G)QL57H

【用 途】 桥式整流硅堆 【性能 参数】硅 600V 0.2A Vf=1.2V Lfsm=4A 【互换 兼容】

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