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IPB60R055CFD7

IPB60R055CFD7产品信息：

600V CoolMOS CFD7超结MOSFET与集成快体二极管在D(2)PAK封装是谐振高功率拓扑的完美选择

公司的600V CoolMOS CFD7 Superjunction MOSFET IPB60R055CFD7 in D(2)PAK封装非常适合于高功率SMPS中的谐振拓扑，如服务器、电信和电动汽车充电站，在这些方面它可以显著提高效率。作为CFD2 SJ MOSFET家族的继任者，与竞争对手相比，它降低了栅电荷，改善了关断行为，减少了高达69%的反向回收电荷。

特征描述

  • 超快的体二极管
  • 同类最佳反向回收费用(Q(rr))
  • 改进反向二极管dv/dt和dif/dt的坚固性
  • 最低ffrom R(DS(on)) x Q(g)and E(OSS)
  • 最佳R (DS(上))/包的组合

优势

  • 最好的硬换向强度
  • 谐振拓扑的最高可靠性
  • 最高的效率和出色的易用性/性能权衡
  • 增加功率密度解决方案

潜在应用

  • 服务器
  • 电信
  • 电动汽车充电

IPB60R055CFD7数据手册：

IPB60R055CFD7引脚功能、电路图：

相关型号：

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IHVA150-A3D12V-BF IHVA200-A3D12V-BF IHVA150-H3D12V-BF IHVA200-H3D12V-BF IHV350HANFA
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