效率

• 600V P7 支持优异 FOM R (DS(on))xE oss 和 R (DS(on))xQ G

使用方便

• 集成 ESD 二极管，从 180mN 起且高于 R (DS(on))s
• 集成栅极电阻器 R G
• 坚固体二极管
• 涵盖通孔和表面封装的丰富产品线
• 标准级和工业级部件可供选择

效率

• 优异 FOM R (DS(on))xQ (G)/R (DS(on))xE (oss)，实现更高效率

使用方便

• 避免 ESD 故障，在制造环境中确保易用性
• 集成 R G 降低 MOSFET 振荡敏感度
• MOSFET 适用于 PFC 和 LLC 等硬开关拓扑和谐振开关拓扑
• 在 LLC 拓扑中体二极管通信中具有优异稳健性
• 广泛适用于各种终端应用和输出功率
• 可选部件适用于消费和工业应用