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IPB60R170CFD7

IPB60R170CFD7产品信息:

600V CoolMOS CFD7超结MOSFET与集成快体二极管在D(2)PAK封装是谐振高功率拓扑的完美选择

这种600V CoolMOS CFD7超结MOSFET IPB60R170CFD7在D(2)PAK封装是针对高功率SMPS谐振拓扑的解决方案,如服务器,电信和电动汽车充电站。它具有显著的效率改进,以及最低的FOM R(DS(on)) x Q(g)和E(OSS)。继CFD2 SJ MOSFET家族之后,与竞争对手相比,CFD7降低了栅极电荷,改善了关闭行为,并减少了高达69%的反向回收电荷。

特征描述

  • 超快的体二极管
  • 同类最佳反向回收费用(Q(rr))
  • 改进反向二极管dv/dt和dif/dt的坚固性
  • 最低ffrom R(DS(on)) x Q(g)and E(OSS)
  • 最佳R (DS(上))/包的组合

优势

  • 最好的硬换向强度
  • 谐振拓扑的最高可靠性
  • 最高的效率和出色的易用性/性能权衡
  • 增加功率密度解决方案

潜在应用

  • 服务器
  • 电信
  • 电动汽车充电

IPB60R170CFD7数据手册:

IPB60R170CFD7引脚功能、电路图:

相关型号:

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IHVA150-A3D12V-BF IHVA200-A3D12V-BF IHVA150-H3D12V-BF IHVA200-H3D12V-BF IHV350HANFA
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