华强商城 被动器件(电容/电阻/电感) BOM配单 原厂专区 PCB制板 积分兑换
0
首页>IC索引

IPB60R360CFD7

IPB60R360CFD7产品信息:

600V CoolMOS CFD7 超结 MOSFET,采用 D(2)PAK 封装,具有集成快速体二极管,是谐振大功率拓扑的理想选择

600V CoolMOS CFD7 超结 MOSFET IPB60R360CFD7,采用 D(2)PAK 封装,非常适用于高功率 开关式电源 中的谐振拓扑,例如 服务器 、 电信 和 电动汽车充电站 ,可显著提高效率。 作为 CFD2 超结 MOSFET 系列 的后继产品,与竞品相比,它减少了栅极电荷,改善了关断行为,并减少了高达 69% 的反向恢复电荷。

特征描述

  • 超快体二极管
  • 出色的反向恢复电荷 (Q(rr))
  • 增强了反向二极管 dv/dt 和 dif/dt 耐用性
  • 极低的 FOM R(DS(on)) x Q(g )和 E(OSS)
  • 出众的R(DS(on))/封装组合

优势

  • 出色的硬换向耐用性
  • 可靠性较高,适用于谐振拓扑结构
  • 兼顾高效率与易用性/性能权衡
  • 可实现更高功率密度解决方案

潜在应用

  • 服务器
  • 电信
  • 电动汽车充电

IPB60R360CFD7数据手册:

IPB60R360CFD7引脚功能、电路图:

相关型号:

IW416UK IW416HN IHVA150-A3D48V-BF IHV200HDANA IHV200A1ANA
IHVA150-A3D12V-BF IHVA200-A3D12V-BF IHVA150-H3D12V-BF IHVA200-H3D12V-BF IHV350HANFA
IHV200AJANA IHVA150-H3D48V-BF IHV100H4ANG IHVA200-A3D48V-BF IHV200ADANA
IHV50A5ANH IHV100A6ANG IHV50A6ANG IHV50A4ANG IHV250HAANA
按首字母检索