650V CoolMOS CFD7 超结 MOSFET 采用 D(2)PAK 封装，集成快速体二极管，是谐振高功率拓扑结构的理想之选
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650V CoolMOS CFD7 超结 MOSFET 采用 D(2)PAK 封装，集成快速体二极管，是谐振高功率拓扑结构的理想之选
650V CoolMOS CFD7 超结 MOSFET IPB65R155CFD7 采用 D(2)PAK 封装，尤为适用于诸如 服务器 、 电信 、 太阳能 和 电动汽车充电站 等工业应用中的谐振拓扑结构。相较于竞品，该产品可显著提高效率。
作为 CFD2 超结 MOSFET 系列 的后续产品，IPB65R155CFD7 的栅极电荷更低，关断行为得以改善，反向恢复电荷较低，从而可显著提高效率与功率密度，且击穿电压可额外提高 50V。
特征描述
优势
潜在应用
