OptiMOS n 通道功率 MOSFET 150V——裸芯片
OptiMOS n 通道功率 MOSFET 150V——裸芯片
的 OptiMOS 5 功率 MOSFET 150V技术突破性地降低了 R(DS(on)) (与采用 SuperSO8 的竞品相比高达 25%)和 Q(rr),在优化系统效率的同时有效减少了设计工作量。此外,超低反向恢复电荷(SuperSO8 中最低的 Q(rr) = 26nC)提高了换向坚固性。
150V OptiMOS 5 功率 MOSFET 特别适用于叉车和电动脚踏车等低压驱动器以及电信和太阳能应用。产品针对同步整流进行了优化,非常适合高频开关应用。现在,通过降低开关和通态损耗、提高功率密度的举措,有效改善了系统效率。因此,并联需求减少使最终产品更坚固,从而降低了整体系统成本。
在需要并联的情况下,与之前的 OptiMOS 相比,OptiMOS 5 提供了出色的先决条件和改进的阈值电压扩展。
IPC331N15NM5R 的开发重点是模块集成,特别适用于并联 MOSFET 的模块。单片集成的栅极电阻器使并联连接的所有 MOSFET 的栅极端都可以直接互连,客户不需要在模块内部再额外使用分立电阻器。可根据要求为 R(G int) 进行分箱。
特征描述
优势
潜在应用