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IPC331N15NM5R

IPC331N15NM5R产品信息:

OptiMOS n 通道功率 MOSFET 150V——裸芯片

的 OptiMOS 5 功率 MOSFET 150V技术突破性地降低了 R(DS(on)) (与采用 SuperSO8 的竞品相比高达 25%)和 Q(rr),在优化系统效率的同时有效减少了设计工作量。此外,超低反向恢复电荷(SuperSO8 中最低的 Q(rr) = 26nC)提高了换向坚固性。

150V OptiMOS 5 功率 MOSFET 特别适用于叉车和电动脚踏车等低压驱动器以及电信和太阳能应用。产品针对同步整流进行了优化,非常适合高频开关应用。现在,通过降低开关和通态损耗、提高功率密度的举措,有效改善了系统效率。因此,并联需求减少使最终产品更坚固,从而降低了整体系统成本。

在需要并联的情况下,与之前的 OptiMOS 相比,OptiMOS 5 提供了出色的先决条件和改进的阈值电压扩展。

IPC331N15NM5R 的开发重点是模块集成,特别适用于并联 MOSFET 的模块。单片集成的栅极电阻器使并联连接的所有 MOSFET 的栅极端都可以直接互连,客户不需要在模块内部再额外使用分立电阻器。可根据要求为 R(G int) 进行分箱。

特征描述

  • 片内集成栅极电阻针对模块中的应用进行了优化
  • 超低恢复电荷 Q(rr)
  • 超低输出电容 C(oss)
  • 与前一代相比 R(DS(on)) 降低

优势

  • 高系统效率
  • 降低开关和通态损耗
  • 并联需求减少
  • 功率密度增加
  • 低电压过冲
  • 并联 MOSFET 在模块级能较为容易地进行栅极互连

潜在应用

  • 低压驱动器

IPC331N15NM5R数据手册:

相关型号:

IW416UK IW416HN IHVA150-A3D48V-BF IHV200HDANA IHV200A1ANA
IHVA150-A3D12V-BF IHVA200-A3D12V-BF IHVA150-H3D12V-BF IHVA200-H3D12V-BF IHV350HANFA
IHV200AJANA IHVA150-H3D48V-BF IHV100H4ANG IHVA200-A3D48V-BF IHV200ADANA
IHV50A5ANH IHV100A6ANG IHV50A6ANG IHV50A4ANG IHV250HAANA
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