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IPD60R1K5PFD7S

IPD60R1K5PFD7S产品信息：

TO-252 dak封装中的600V CoolMOS PFD7超结MOSFET

600V CoolMOS PFD7超结MOSFET (IPD60R1K5PFD7S)补充了CoolMOS 7提供的消费应用。采用to -252 dak封装的IPD60R1K5PFD7S具有1,500mOhm的开关损耗。该产品配备了一个集成的快速体二极管，确保强大的设备。快速体二极管和业界领先的SMD封装减少了PCB空间，从而减少了客户的物料清单(BOM)。

该产品系列适用于超高功率密度和最高效率的设计。产品主要用于超高密度充电器、适配器和低功率电机驱动。与CoolMOS P7和CE MOSFET技术相比，600V CoolMOS PFD7提供了更高的轻效率和满载效率，从而使功率密度增加了1.8W/英寸(3)。

特征描述

  • 非常低的FOM R(DS(on)) x E(oss)
  • 集成坚固的快速体二极管
  • 高达2kV ESD保护
  • R(DS(on))值范围广
  • 优秀的交换强度
  • 低EMI
  • 一揽子解决方案组合

优势

  • 最小开关损耗
  • 与最新的CoolMOS 充电器技术相比，功率密度提高
  • 与CoolMOS CE技术相比，在低功率驱动应用中提高了效率，改善了热行为
  • 降低BOM成本，易于制造
  • 鲁棒性和可靠性
  • 易于选择合适的零件进行设计微调

潜在应用

  • 消费者
  • 高密度充电器和适配器
  • USB PD
  • 冰箱
  • 球迷
  • 泵

IPD60R1K5PFD7S数据手册：

IPD60R1K5PFD7S引脚功能、电路图：

相关型号：

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