600V CoolMOS PFD7超结MOSFET (IPD60R2K0PFD7S)补充了CoolMOS 7提供的消费应用。采用to -252 dak封装的IPD60R2K0PFD7S具有2,000mOhm的开关损耗。一个实现的快速体二极管确保了一个健壮的设备，反过来减少了客户的物料清单(BOM)。此外，我们的行业领先的SMD封装提供有助于节省PCB空间和简化制造。

该产品系列适用于超高功率密度和最高效率的设计。产品主要用于超高密度充电器、适配器和低功率电机驱动。与CoolMOS P7和CE MOSFET技术相比，600V CoolMOS PFD7提供了更高的轻效率和满载效率，从而使功率密度增加了1.8W/英寸(3)。

• 消费者
• 高密度充电器和适配器
• USB PD
• 冰箱
• 球迷
• 泵