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IPD70R360P7S

IPD70R360P7S产品信息：

反激式拓扑产品

顺应当下和未来反激式拓扑产品的趋势而开发——全新 700V CoolMOS P7 超结 MOSFET 系列产品具有比目前所使用超结技术更强的性能，适用于 手机充电器 或笔记本电

  • 效率和热性能
  • 使用方便
  • 电磁干扰行为

特征描述

  • 极低 FOM R DS(on) x E oss；更低 Q g、E on 和 E off
  • 高性能技术
    • 低开关损耗 (E oss)
    • 高效率
    • 优异的热性能
  • 支持高速开关
  • 集成保护齐纳二极管
  • V (GS)th 优化至 3V，±0.5V 窄容差
  • 成熟的产品组合

优势

  • 成本极具竞争力的技术
  • 与 C6 技术相比，效率增益高达 2.4%，器件温度低 12K
  • 更高开关速度实现更高效率增益
  • 更低的 BOM 成本缩减磁性元件尺寸
  • 高 ESD 稳健性，达到 HBM 2 级水平
  • 轻松驱动和设计导入
  • 支持更小的外形规格和更高的功率密度设计
  • 优良产品的最佳选择

潜在应用

  • 充电器
  • 适配器
  • 电视
  • 照明
  • 音频
  • 辅助电源

IPD70R360P7S数据手册：

IPD70R360P7S引脚功能、电路图：

相关型号：

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