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IPDQ60R010S7A

IPDQ60R010S7A产品信息:

极低 RDS(on) * 采用创新型顶部冷却 QDPAK 封装的超结 MOSFET,低频开关汽车应用的理想之选

汽车级 600V CoolMOS S7A 超结 MOSFET 系列符合 AEC-Q101 标准,经优化后可显著降低导通损耗,具备高压超结 MOSFET 市场领域中的较低 R(DS(on))。该系列产品具备前所未有的 R(DS(on) )与价格优势,品质因数出色,尤为适用于高压电熔丝、高压电子断开装置和有源线路配置中的 车载充电器 PFC 级。

特征描述

  • 低 R(DS(on))
  • 紧凑型顶部冷却 QDPAK 封装
  • 针对导通性能进行优化
  • 热阻改善
  • 高脉冲电流能力
  • 开尔文源极引脚可改善大电流下的开关性能

优势

  • 低导通损耗
  • 提高效能
  • 更为紧凑与简便的设计
  • 总体拥有成本 (TCO) 或 BOM 成本降低

潜在应用

  • 高压电熔丝
  • 高压电子断开装置
  • 车载充电器

IPDQ60R010S7A数据手册:

IPDQ60R010S7A引脚功能、电路图:

相关型号:

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IHVA150-A3D12V-BF IHVA200-A3D12V-BF IHVA150-H3D12V-BF IHVA200-H3D12V-BF IHV350HANFA
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