600V CoolMOS PFD7超结MOSFET (IPLK60R1K0PFD7)补充了CoolMOS 7提供的消费应用。IPLK60R1K0PFD7in的ThinPAK 5x6封装具有1000 mohm的R(DS(on))，从而降低开关损耗。该包装的特点是占地面积很小，为5x6mm²，非常低的轮廓，高度为1mm。加上它的基准低寄生，这些特性导致显著更小的形式因素，并有助于提高功率密度。CoolMOS PFD7产品配备了一个快速体二极管，确保了强大的设备，从而为客户减少了物料清单(BOM)。

该产品系列适用于超高功率密度和最高效率的设计。产品主要用于超高密度充电器、适配器和低功率电机驱动。与CoolMOS P7和CE MOSFET技术相比，600V CoolMOS PFD7提供了更高的轻效率和满载效率，从而使功率密度增加了1.8W/英寸(3)。