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IPLK60R360PFD7

IPLK60R360PFD7产品信息:

600V CoolMOS PFD7超结MOSFET在ThinPAK 5x6封装

600V CoolMOS PFD7超结MOSFET (IPLK60R360PFD7)补充了CoolMOS 7提供的消费应用。ThinPAK 5x6封装中的IPLK60R360PFD7具有360mOhm的R(DS(on))特性,可降低开关损耗。该包装的特点是占地面积很小,为5x6mm²,非常低的轮廓,高度为1mm。加上它的基准低寄生,这些特性导致显著更小的形式因素,并有助于提高功率密度。CoolMOS PFD7产品配备了一个快速体二极管,确保了强大的设备,从而为客户减少了物料清单(BOM)。

该产品系列适用于超高功率密度和最高效率的设计。产品主要用于超高密度充电器、适配器和低功率电机驱动。与CoolMOS P7和CE MOSFET技术相比,600V CoolMOS PFD7提供了更高的轻效率和满载效率,从而使功率密度增加了1.8W/英寸(3)。

特征描述

  • 非常低的FOM R(DS(on)) x E(oss)
  • 集成坚固的快速体二极管
  • 高达2kV ESD保护
  • R(DS(on))值范围广
  • 优秀的交换强度
  • 低EMI

优势

  • 最小开关损耗
  • 与最新的CoolMOS 充电器技术相比,功率密度提高
  • 与CoolMOS CE技术相比,在低功率驱动应用中提高了效率,改善了热行为
  • 降低BOM成本,易于制造
  • 鲁棒性和可靠性
  • 易于选择合适的零件进行设计微调

潜在应用

  • 消费者
  • 充电器
  • 适配器
  • 冰箱
  • 球迷

IPLK60R360PFD7数据手册:

IPLK60R360PFD7引脚功能、电路图:

相关型号:

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IHVA150-A3D12V-BF IHVA200-A3D12V-BF IHVA150-H3D12V-BF IHVA200-H3D12V-BF IHV350HANFA
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