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IPN70R900P7S

IPN70R900P7S产品信息:

兼具优异性能与易用性

CoolMOS P7 超结 (SJ) MOSFET 专为解决低功率 SMPS 市场典型挑战而设计,具有优异性能和易用性,改进外形规格,提高价格竞争力。SOT-223 封装是高成本效益的一对一插入式 DPAK 替代产品,还能够减少部分设计的空间占用。该产品可在典型 DPAK 所占用空间中安放,具有与之相当的热性能。这一组合使采用SOT-223 封装的CoolMOS P7 完美适用于目标应用。

700V 和 800V CoolMOS P7 针对反激式拓扑进行优化600V CoolMOS P7 SJ MOSFET 适用于软硬开关拓扑(反激式、PFC 和 LLC)。

特征描述

  • 性能出众的超结技术
  • 支持更低的 MOSFET 芯片温度
  • 比前代技术效率更高
  • 支持改进外形规格和纤薄设计
  • 具有成本效益的封装解决方案
  • 以具有竞争力的成本插入式替换 DPAK
  • 在设计中节省空间,功耗更低,实现更小的外形规格
  • 与 DPAK 相当的热性能
  • 出色性价/性能比
  • 价格极具吸引力的高性能技术

潜在应用

消费品应用

  • 充电器
  • 适配器
  • 电视电源
  • 照明

IPN70R900P7S数据手册:

IPN70R900P7S引脚功能、电路图:

相关型号:

IW416UK IW416HN IHVA150-A3D48V-BF IHV200HDANA IHV200A1ANA
IHVA150-A3D12V-BF IHVA200-A3D12V-BF IHVA150-H3D12V-BF IHVA200-H3D12V-BF IHV350HANFA
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