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IPP65R060CFD7

IPP65R060CFD7产品信息:

650V CoolMOS CFD7 超结 MOSFET 采用 TO-247 封装,集成快速体二极管,是谐振高功率拓扑结构的理想之选

650V CoolMOS CFD7超结MOSFETIPW65R029CFD7 采用 TO-247 封装,尤为适用于诸如服务器电信太阳能电动汽车充电站等工业应用中的谐振拓扑结构。相较于竞品,该产品可显著提高效率。

作为CFD2超结MOSFET系列的后续产品,IPW65R029CFD7 的栅极电荷更低,关断行为得以改善,反向恢复电荷较低,从而可显著提高效率与功率密度,且击穿电压可额外提高 50V。

特征描述

  • 采用超快体二极管,Q(rr) 极低
  • 650V 击穿电压
  • 相较于竞品,开关损耗显著降低
  • R(DS(on)) 的温度依赖性极低

优势

  • 出色的硬换向稳健性
  • 总线电压提高,为设计提供额外安全裕度
  • 可实现更高的功率密度
  • 可在工业开关电源 (SMPS) 应用中实现卓越轻载效率
  • 可在工业开关电源 (SMPS) 应用中提高满载效率
  • 相较于市面上的替代产品,价格更具竞争力

IPP65R060CFD7数据手册:

IPP65R060CFD7引脚功能、电路图:

相关型号:

IW416UK IW416HN IHVA150-A3D48V-BF IHV200HDANA IHV200A1ANA
IHVA150-A3D12V-BF IHVA200-A3D12V-BF IHVA150-H3D12V-BF IHVA200-H3D12V-BF IHV350HANFA
IHV200AJANA IHVA150-H3D48V-BF IHV100H4ANG IHVA200-A3D48V-BF IHV200ADANA
IHV50A5ANH IHV100A6ANG IHV50A6ANG IHV50A4ANG IHV250HAANA
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