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的 CoolMOS C7 超结 MOSFET 系列是技术的一次突破性进步，在全球范围内实现了低 R(DS(on))/封装，并且得益于其低开关损耗，可在全负载范围内提高效率。
特征描述
优势
潜在应用
另请参阅我们的 2EDL EiceDRIVER 紧凑型 600V 半桥栅极驱动器芯片系列。单片集成低欧姆二极管和超快自举二极管采用电平转换 SOI（绝缘体硅片）技术，适用于 IGBT 或 MOSFET 。
