采用PQFN 3.3x3.3源极底置封装的OptiMOS 25V低压功率MOSFET具有业界领先的RDS(on)。
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采用PQFN 3.3x3.3源极底置封装的OptiMOS 25V低压功率MOSFET具有业界领先的RDS(on)。
在 创新的源极底置技术下推出了OptiMOS 低压功率MOSFET（IQE006NE2LM5CG）中心门极封装版本。将门极放置在封装的中间位置，从而实现最佳的源极连接。由于中心门极具有更大的漏极至源极爬电距离，因此中心门极封装提供 MOSFET 优化且易于并联的优势。这样，即可在一个 PCB 层上连接多个设备的门极，从而提高电流能力，实现更高的输出电平。此外，源极底置中心门极封装提供高系统效率和高功率密度。
特征描述
优势
潜在应用
